Die Exascend EXSD3X256GB-I ist eine 256 GB CFast 2.0-Karte, die mit 3D-TLC-NAND-Flash für hochzuverlässige Unternehmensanwendungen eine kontinuierliche Lesegeschwindigkeit von bis zu 520 MB/s und eine Schreibgeschwindigkeit von bis zu 300 MB/s bietet. Mit SATA-Schnittstelle, 3,3-V-Betrieb und extremer Temperaturtoleranz (-40 °C bis +85 °C) ist sie…
Die Exascend EXSD3X256GB-I ist eine 256 GB CFast 2.0-Karte, die mit 3D-TLC-NAND-Flash für hochzuverlässige Unternehmensanwendungen eine kontinuierliche Lesegeschwindigkeit von bis zu 520 MB/s und eine Schreibgeschwindigkeit von bis zu 300 MB/s bietet. Mit SATA-Schnittstelle, 3,3-V-Betrieb und extremer Temperaturtoleranz (-40 °C bis +85 °C) ist sie ideal für extreme Arbeitslasten in Industrie-, Überwachungs- oder Embedded-Systemen.
Die Speicherkarte EXSD3X256GB-I CFast 2.0 der Exascend SI3-Serie ist eine leistungsstarke, äußerst zuverlässige Speicherlösung für Anwendungen der Enterprise-Klasse, die eine kontinuierliche Datenverarbeitung mit hohem Durchsatz erfordern, wie z. B. Videoüberwachung, industrielle Bildverarbeitung und industrielle Automatisierung. Durch die Nutzung der fortschrittlichen 3D-TLC-NAND-Flash-Technologie, die von einem Single-Chip-Controller über eine SATA-III-Schnittstelle (bis zu 6 Gb/s) verwaltet wird, erreicht sie sequentielle Lesegeschwindigkeiten von 520 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von 300 MB/s sowie 85.000 IOPS für 4K-Zufallslesungen und 70.000 IOPS für 4K-Zufallsschreibvorgänge auf dem gesamten Laufwerk. Dadurch werden die mechanischen Schwachstellen von Festplatten wie Platten oder Motoren beseitigt, was zu einer verbesserten MTBF und reduzierten Ausfallraten führt. Die Solid-State-Architektur sorgt für einen geringen Stromverbrauch (3,3 V Betriebsspannung, <2 W im aktiven Betrieb), einen kompakten Formfaktor (42,8 x 36,4 x 3,6 mm, Reel-Verpackung für Großmengen) und Widerstandsfähigkeit in rauen Umgebungen, da sie bei Temperaturen von -40 °C bis +85 °C und einer Stoß-/Vibrationsfestigkeit von bis zu 1.500 G/20 G betrieben werden kann.